Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA00DP-T1-GE3
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira00dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+66.34 грн
6000+ 61.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIRA00DP-T1-GE3 за ціною від 61.87 грн до 178.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira00dp.pdf Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+105.73 грн
500+ 80.89 грн
1000+ 66.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira00dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.4 грн
10+ 117.68 грн
100+ 93.66 грн
500+ 74.37 грн
1000+ 63.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sira00dp.pdf MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+158.16 грн
10+ 130.32 грн
100+ 89.68 грн
250+ 83.43 грн
500+ 75.78 грн
1000+ 64.38 грн
3000+ 61.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000695202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+178.6 грн
10+ 141.16 грн
25+ 127.9 грн
100+ 105.73 грн
500+ 80.89 грн
1000+ 66.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira00dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIRA00DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira00dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20/±-16V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIRA00DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira00dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20/±-16V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній