SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 20261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 174 грн |
| 10+ | 137.05 грн |
| 100+ | 103.84 грн |
| 500+ | 89.2 грн |
| 1000+ | 75.96 грн |
| 3000+ | 71.78 грн |
| 6000+ | 69.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIR882ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0072 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIR882ADP-T1-GE3 за ціною від 71.03 грн до 205.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 50 V |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR882ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0072 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 16880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 60 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SIR882ADP-T1-GE3 Код товару: 117690 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
| SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |