на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 35.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR880BDP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 70.6, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 71.4, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71.4, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIR880BDP-T1-RE3 за ціною від 33.1 грн до 95.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR880BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR880BDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 70.6 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR880BDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 70.6 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR880BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V |
на замовлення 5169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR880BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) |
на замовлення 6728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|