SIR870ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 9672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 169.74 грн |
| 10+ | 139.03 грн |
| 100+ | 96.29 грн |
| 500+ | 81.53 грн |
| 1000+ | 77.31 грн |
| 3000+ | 76.61 грн |
| 6000+ | 73.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR870ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 300A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 60A, On-state resistance: 10.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 104W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, Gate charge: 80nC, Mounting: SMD, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 300A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIR870ADP-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO |
на замовлення 5140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
| SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
| SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 300A Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 80nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
| SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 300A Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 80nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A |
товар відсутній |