![SIR862DP-T1-GE3 SIR862DP-T1-GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/PowerPAK_SO_8_SPL.jpg)
SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 102.2 грн |
10+ | 83.15 грн |
100+ | 56.24 грн |
500+ | 47.69 грн |
1000+ | 38.86 грн |
3000+ | 38.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 50A, On-state resistance: 3.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 69W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 90nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 70A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIR862DP-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
товар відсутній |