Продукція > VISHAY > SIR836DP-T1-GE3
SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3 Vishay

sir836dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR836DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIR836DP-T1-GE3 за ціною від 21.46 грн до 70.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir836dp.pdf Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+36.47 грн
500+ 28.33 грн
1000+ 23.25 грн
5000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir836dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 57718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.81 грн
10+ 43.57 грн
100+ 27.56 грн
500+ 23.68 грн
1000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir836dp.pdf Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+70.2 грн
14+ 57.56 грн
100+ 36.47 грн
500+ 28.33 грн
1000+ 23.25 грн
5000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
SIR836DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir836dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 50A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir836dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
товар відсутній
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir836dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
товар відсутній
SIR836DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir836dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 50A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній