Технічний опис SIR820DP-T1-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 27.5W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 75nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIR820DP-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SIR820DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 27.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
SIR820DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
||
SIR820DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
товар відсутній |
||
SIR820DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 27.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |