SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sir800dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+48.7 грн
6000+ 45.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIR800DP-T1-GE3 за ціною від 46.33 грн до 118.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir800dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.29 грн
10+ 86.4 грн
100+ 68.76 грн
500+ 54.6 грн
1000+ 46.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir800dp.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.42 грн
10+ 97.54 грн
100+ 67.23 грн
250+ 62.01 грн
500+ 56.24 грн
1000+ 52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR800DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir800dp.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 35.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir800dp.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 35.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR800DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir800dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR800DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir800dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній