![SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742%3B5881%3BDP%3B8.jpg)
SIR800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
![sir800dp.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 48.7 грн |
6000+ | 45.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SIR800DP-T1-GE3 за ціною від 46.33 грн до 118.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIR800DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V |
на замовлення 6489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIR800DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 6776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SIR800DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
SIR800DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
SIR800DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 50A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 69W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 133nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIR800DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 50A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 69W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 133nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |