SiR690DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 50.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiR690DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm.
Інші пропозиції SiR690DP-T1-GE3 за ціною від 48.19 грн до 161.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR690DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 11250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR690DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 11250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR690DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm |
на замовлення 9595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SiR690DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V |
на замовлення 4515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SiR690DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 8668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR690DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm |
на замовлення 9595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR690DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| SiR690DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 34.4A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 34.4A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| SiR690DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 34.4A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 34.4A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |