SIR680ADP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR680ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
на замовлення 7042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 100.07 грн |
| 500+ | 84.21 грн |
| 1000+ | 66.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR680ADP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR680ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm.
Інші пропозиції SIR680ADP-T1-RE3 за ціною від 66.68 грн до 185.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR680ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR680ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8 |
на замовлення 8914 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR680ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR680ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm |
на замовлення 7042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR680ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 30.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SIR680ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 30.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR680ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 125A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 300A Drain-source voltage: 80V Drain current: 125A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Gate charge: 83nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SIR680ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR680ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 125A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 300A Drain-source voltage: 80V Drain current: 125A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Gate charge: 83nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |