Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR626LDP-T1-RE3
SIR626LDP-T1-RE3

SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir626ldp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+54.7 грн
6000+ 50.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIR626LDP-T1-RE3 за ціною від 49.79 грн до 136.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir626ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 9197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.65 грн
10+ 97.01 грн
100+ 77.23 грн
500+ 61.32 грн
1000+ 52.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay id-714329-sir626ldp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+127.04 грн
10+ 104.45 грн
25+ 103.42 грн
50+ 98.73 грн
100+ 72.44 грн
250+ 65.86 грн
500+ 57.33 грн
1000+ 53.56 грн
3000+ 49.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir626ldp.pdf MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.02 грн
10+ 107.5 грн
100+ 74.5 грн
250+ 70.99 грн
500+ 62.55 грн
1000+ 53.7 грн
3000+ 50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay id-714329-sir626ldp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
89+136.81 грн
108+ 112.49 грн
109+ 111.37 грн
110+ 106.32 грн
138+ 78.01 грн
250+ 70.93 грн
500+ 61.74 грн
1000+ 57.68 грн
3000+ 53.62 грн
Мінімальне замовлення: 89
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir626ldp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay id-714329-sir626ldp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir626ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 186A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir626ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 186A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній