![SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742%3B5881%3BDP%3B8.jpg)
SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
![sir626ldp.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 54.7 грн |
6000+ | 50.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SIR626LDP-T1-RE3 за ціною від 49.79 грн до 136.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V |
на замовлення 9197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 10452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 186A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 135nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 186A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 135nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |