на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 57.49 грн |
| 12+ | 53.89 грн |
| 25+ | 53.35 грн |
| 50+ | 50.93 грн |
| 100+ | 43.83 грн |
| 250+ | 41.47 грн |
| 500+ | 38.89 грн |
| 1000+ | 37.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR606DP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SIR606DP-T1-GE3 за ціною від 40.82 грн до 103.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR606DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR606DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 11489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR606DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V |
на замовлення 2563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR606DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 37A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 37A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 44.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SIR606DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 37A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 37A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 44.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |