SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 552-561 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.58 грн |
| 10+ | 97.78 грн |
| 100+ | 66.49 грн |
| 500+ | 54.43 грн |
| 1000+ | 43 грн |
| 3000+ | 40.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 33.8A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 65.7W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 27mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 20nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIR5708DP-T1-RE3 за ціною від 96.12 грн до 112.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW |
товар відсутній |
|||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |