Продукція > VISHAY > SIR466DP-T1-GE3
SIR466DP-T1-GE3

SIR466DP-T1-GE3 Vishay

sir466dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR466DP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIR466DP-T1-GE3 за ціною від 24.63 грн до 79.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir466dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+32.95 грн
6000+ 30.22 грн
9000+ 28.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir466dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
272+44.45 грн
274+ 44.23 грн
275+ 43.99 грн
303+ 38.53 грн
306+ 35.32 грн
500+ 30.42 грн
1000+ 26.52 грн
Мінімальне замовлення: 272
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir466dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+45.11 грн
15+ 41.28 грн
25+ 41.07 грн
50+ 39.39 грн
100+ 33.13 грн
250+ 31.49 грн
500+ 28.25 грн
1000+ 24.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir466dp.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.61 грн
10+ 59.79 грн
100+ 42.16 грн
500+ 36.66 грн
1000+ 30.39 грн
3000+ 30.32 грн
6000+ 29.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir466dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 20755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.16 грн
10+ 62.72 грн
100+ 48.81 грн
500+ 38.83 грн
1000+ 31.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001798713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+79.74 грн
13+ 63.25 грн
100+ 47.3 грн
500+ 38.19 грн
1000+ 32.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR466DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir466dp.pdf 1041+ QFN-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR466DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir466dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 54W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR466DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir466dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 54W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній