на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 33.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR4606DP-T1-GE3 Vishay
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SIR4606DP-T1-GE3 за ціною від 30.73 грн до 91.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR4606DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR4606DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V |
на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR4606DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 48365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR4606DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 31.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 31.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |