Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR4602LDP-T1-RE3
SIR4602LDP-T1-RE3

SIR4602LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir4602ldp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR4602LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIR4602LDP-T1-RE3 за ціною від 25.38 грн до 69.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR4602LDP-T1-RE3 SIR4602LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir4602ldp.pdf Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V
на замовлення 5909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.08 грн
10+ 50.31 грн
100+ 39.17 грн
500+ 31.16 грн
1000+ 25.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR4602LDP-T1-RE3 SIR4602LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir4602ldp.pdf MOSFET N-CH 60-V MSFT
на замовлення 14150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.6 грн
10+ 55.94 грн
100+ 37.91 грн
500+ 34.99 грн
3000+ 29.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR4602LDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir4602ldp.pdf SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній