Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR4409DP-T1-RE3
SIR4409DP-T1-RE3

SIR4409DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir4409dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR4409DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIR4409DP-T1-RE3 за ціною від 36.42 грн до 92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR4409DP-T1-RE3 SIR4409DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir4409dp.pdf Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92 грн
10+ 72.26 грн
100+ 56.21 грн
500+ 44.71 грн
1000+ 36.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR4409DP-T1-RE3 SIR4409DP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir4409dp.pdf MOSFET P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 9 mohm a. 10V, 12 mohm a. 4.5V
товар відсутній