на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 30.35 грн |
| 6000+ | 30.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR422DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIR422DP-T1-GE3 за ціною від 26.87 грн до 88.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 22.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 22.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 22879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 60994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V |
на замовлення 51113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 22.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 22.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR422DP-T1-GE3 Код товару: 101557 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 |
товар відсутній
|