SIR410DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR410DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 63.94 грн |
| 14+ | 57.13 грн |
| 100+ | 44.55 грн |
| 500+ | 34.24 грн |
| 1000+ | 26.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR410DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR410DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIR410DP-T1-GE3 за ціною від 33.09 грн до 80.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR410DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 |
на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR410DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 5866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 35A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SIR410DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 35A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W |
товар відсутній |