SIR402DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 138.58 грн |
10+ | 113.16 грн |
100+ | 79.42 грн |
250+ | 72.39 грн |
500+ | 66 грн |
1000+ | 57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR402DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8.
Інші пропозиції SIR402DP-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SIR402DP-T1-GE3 |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
SIR402DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY | SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||
SIR402DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
||
SIR402DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 |
товар відсутній |