на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 45.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR158DP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIR158DP-T1-GE3 за ціною від 52.2 грн до 155.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR158DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR158DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm |
на замовлення 3582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR158DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V |
на замовлення 6844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR158DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 14950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR158DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm |
на замовлення 3582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SIR158DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 130nC Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 130nC Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |