![SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742%3B5881%3BDP%3B8.jpg)
SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
![sir140dp.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 65.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIR140DP-T1-RE3 за ціною від 57.9 грн до 143.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIR140DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 8834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SIR140DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SIR140DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SIR140DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V |
на замовлення 11305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
SIR140DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |