Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR122LDP-T1-RE3
SIR122LDP-T1-RE3

SIR122LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR122LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 62.3, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIR122LDP-T1-RE3 за ціною від 38.64 грн до 94.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 3296219.pdf Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.2 грн
500+ 54.47 грн
1000+ 41.92 грн
5000+ 41.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 3296219.pdf Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+92.8 грн
10+ 82.31 грн
100+ 70.2 грн
500+ 54.47 грн
1000+ 41.92 грн
5000+ 41.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.15 грн
10+ 81 грн
100+ 63.14 грн
500+ 48.95 грн
1000+ 38.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR122LDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній