Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR104ADP-T1-RE3
SIR104ADP-T1-RE3

SIR104ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir104adp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+64.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR104ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIR104ADP-T1-RE3 за ціною від 60.18 грн до 153.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR104ADP-T1-RE3 SIR104ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir104adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 5937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.8 грн
10+ 114.22 грн
100+ 90.93 грн
500+ 72.21 грн
1000+ 61.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR104ADP-T1-RE3 SIR104ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir104adp.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8
на замовлення 23908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.18 грн
10+ 124.87 грн
100+ 87.29 грн
250+ 80.2 грн
500+ 73.1 грн
1000+ 62.24 грн
3000+ 60.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR104ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir104adp.pdf N-Channel 100 V MOSFET
товару немає в наявності
SIR104ADP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir104adp.pdf SIR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності