SIHW33N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 296.34 грн |
10+ | 201.23 грн |
480+ | 197.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHW33N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHW33N60E-GE3 за ціною від 205.82 грн до 347.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHW33N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
SIHW33N60E-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |