SIHU6N62E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 620V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.31 грн |
| 75+ | 60.35 грн |
| 150+ | 47.82 грн |
| 525+ | 38.04 грн |
| 1050+ | 37.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHU6N62E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 620V 6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHU6N62E-GE3 за ціною від 40.48 грн до 85.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHU6N62E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 620V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIHU6N62E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 4A; Idm: 12A; 78W; IPAK,TO251 Mounting: THT Case: IPAK; TO251 Kind of package: tube Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 12A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.9Ω Drain current: 4A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
SIHU6N62E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 620V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
товар відсутній |
|||||||||||
| SIHU6N62E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 4A; Idm: 12A; 78W; IPAK,TO251 Mounting: THT Case: IPAK; TO251 Kind of package: tube Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 12A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.9Ω Drain current: 4A |
товар відсутній |