SIHU5N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.26 грн |
| 10+ | 44.22 грн |
| 100+ | 34.43 грн |
| 500+ | 27.39 грн |
| 1000+ | 27.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHU5N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHU5N80AE-GE3 за ціною від 31.35 грн до 61.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHU5N80AE-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 100 V |
на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHU5N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
SIHU5N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
SIHU5N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |