![SIHP8N50D-E3 SIHP8N50D-E3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.28 грн |
10+ | 101.04 грн |
100+ | 69.3 грн |
500+ | 58.69 грн |
1000+ | 46.25 грн |
2000+ | 44.98 грн |
5000+ | 42.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP8N50D-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP8N50D-E3 за ціною від 46.15 грн до 159.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHP8N50D-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SIHP8N50D-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |