![SIHP6N65E-GE3 SIHP6N65E-GE3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 159.08 грн |
10+ | 130.94 грн |
100+ | 89.97 грн |
250+ | 83.64 грн |
500+ | 75.91 грн |
1000+ | 64.66 грн |
2000+ | 63.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP6N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції SIHP6N65E-GE3 за ціною від 61.23 грн до 173.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHP6N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SIHP6N65E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
SIHP6N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
SIHP6N65E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
SIHP6N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |