на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 97+ | 124.75 грн |
| 101+ | 119.99 грн |
| 104+ | 115.92 грн |
| 250+ | 108.39 грн |
| 500+ | 97.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP33N60E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHP33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHP33N60E-GE3 за ціною від 225.56 грн до 449.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHP33N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP33N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP33N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP33N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIHP33N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SIHP33N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SIHP33N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SIHP33N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 278W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SIHP33N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 278W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |