SIHP25N40D-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 16A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 16A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 196.42 грн |
7+ | 135.3 грн |
18+ | 128.57 грн |
100+ | 127.82 грн |
250+ | 123.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP25N40D-GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP25N40D-GE3 за ціною від 100.46 грн до 269.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHP25N40D-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V |
на замовлення 834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIHP25N40D-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIHP25N40D-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIHP25N40D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; 278W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 16A Power dissipation: 278W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIHP25N40D-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIHP25N40D-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIHP25N40D-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |