![SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 301.76 грн |
10+ | 250.57 грн |
25+ | 214.37 грн |
100+ | 175.71 грн |
500+ | 156.74 грн |
1000+ | 137.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP22N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHP22N60E-GE3 за ціною від 139.22 грн до 331.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHP22N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SIHP22N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
SIHP22N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 227W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
SIHP22N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
SIHP22N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 227W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |