![SIHP20N50E-GE3 SIHP20N50E-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742%3B6031%3B%3B3.jpg)
SIHP20N50E-GE3 Vishay Siliconix
![sihp20n50e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 139.14 грн |
10+ | 111.36 грн |
100+ | 88.6 грн |
500+ | 75.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP20N50E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP20N50E-GE3 за ціною від 80.83 грн до 151.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHP20N50E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SIHP20N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
SIHP20N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
SIHP20N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 179W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
SIHP20N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 179W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |