SIHP155N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 256.98 грн |
| 10+ | 207.86 грн |
| 100+ | 168.18 грн |
| 500+ | 140.3 грн |
| 1000+ | 120.13 грн |
| 2000+ | 113.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP155N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHP155N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.136 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SIHP155N60EF-GE3 за ціною від 122.3 грн до 287.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP155N60EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode TO-220AB, 157 mohm a. 10V |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP155N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP155N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.136 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHP155N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |