на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.84 грн |
| 10+ | 122.86 грн |
| 100+ | 92.78 грн |
| 250+ | 88.56 грн |
| 500+ | 82.94 грн |
| 1000+ | 68.88 грн |
| 2000+ | 67.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP12N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP12N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.33 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції SIHP12N65E-GE3 за ціною від 87.86 грн до 193.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP12N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP12N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.33 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHP12N65E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||
| SIHP12N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
SIHP12N65E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||
| SIHP12N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |