на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 203.71 грн |
| 10+ | 148.31 грн |
| 100+ | 89.84 грн |
| 250+ | 89.12 грн |
| 500+ | 76.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP12N60E-BE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP12N60E-BE3 за ціною від 89.74 грн до 204.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP12N60E-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| SIHP12N60E-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A |
товар відсутній |
||||||||||
| SIHP12N60E-BE3 | Виробник : Vishay |
N Channel MOSFET |
товар відсутній |