SIHP100N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 338.49 грн |
| 50+ | 258.34 грн |
| 100+ | 221.44 грн |
| 500+ | 184.72 грн |
| 1000+ | 158.17 грн |
| 2000+ | 148.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP100N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP100N60E-GE3 за ціною від 199.32 грн до 361.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP100N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP100N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SIHP100N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 73A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SIHP100N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 73A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |