SIHP080N60E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHP080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 223.72 грн |
| 10+ | 157.64 грн |
| 100+ | 135.35 грн |
| 500+ | 123.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP080N60E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHP080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHP080N60E-GE3 за ціною від 125.19 грн до 332.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP080N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB, Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V |
на замовлення 781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP080N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 600V 35A N-CH MOSFET |
на замовлення 6988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIHP080N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SIHP080N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIHP080N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube |
товару немає в наявності |