Продукція > VISHAY > SIHLZ44S-GE3

SIHLZ44S-GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHLZ44S-GE3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W, Case: D2PAK; TO263, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Power dissipation: 150W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 66nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 200A, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 36A, On-state resistance: 39mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SIHLZ44S-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHLZ44S-GE3 SIHLZ44S-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs
товар відсутній
SIHLZ44S-GE3 Виробник : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній