SIHL630STRL-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.12 грн |
| 10+ | 79.06 грн |
| 100+ | 53.25 грн |
| 500+ | 41.19 грн |
| 800+ | 34.59 грн |
| 4800+ | 32.87 грн |
| 9600+ | 32.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHL630STRL-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W, Mounting: SMD, Case: D2PAK; TO263, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 74W, On-state resistance: 0.5Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 40nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 36A, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 5.7A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHL630STRL-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHL630STRL-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 74W On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 36A Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SIHL630STRL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
товар відсутній |
|
| SIHL630STRL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 74W On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 36A Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A |
товар відсутній |