Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHL620S-GE3
SIHL620S-GE3

SIHL620S-GE3 Vishay Siliconix

sihl620s.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.42 грн
50+ 47.02 грн
100+ 37.27 грн
500+ 29.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHL620S-GE3 Vishay Siliconix

Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHL620S-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHL620S-GE3 Виробник : VISHAY sihl620s.pdf SIHL620S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHL620S-GE3 SIHL620S-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihl620s.pdf MOSFETs TO263 200V 5.2A N-CH MOSFET
товару немає в наявності