Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHK105N60EF-T1GE3
SIHK105N60EF-T1GE3

SIHK105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

sihk105n60ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2301 pF @ 100 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.23 грн
10+ 311.22 грн
100+ 251.78 грн
500+ 210.03 грн
1000+ 179.84 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHK105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerBSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2301 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHK105N60EF-T1GE3 за ціною від 200.71 грн до 417.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHK105N60EF-T1GE3 SIHK105N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihk105n60ef.pdf MOSFET EF SERIES PWR MOSFET
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+417.92 грн
10+ 346.23 грн
25+ 284.34 грн
100+ 243.92 грн
250+ 229.98 грн
500+ 216.74 грн
1000+ 200.71 грн
SIHK105N60EF-T1GE3 SIHK105N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihk105n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2301 pF @ 100 V
товар відсутній