Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHK065N60E-T1-GE3
SIHK065N60E-T1-GE3

SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sihk065n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+268.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerBSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHK065N60E-T1-GE3 за ціною від 258.5 грн до 553.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHK065N60E-T1-GE3 SIHK065N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihk065n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 100 V
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+504.34 грн
10+ 416.26 грн
100+ 346.87 грн
500+ 287.23 грн
1000+ 258.5 грн
SIHK065N60E-T1-GE3 SIHK065N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihk065n60e.pdf MOSFET N-CH 600V
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+553.7 грн
10+ 467.25 грн
25+ 368.67 грн
100+ 338.7 грн
250+ 319.19 грн
500+ 298.98 грн
1000+ 282.95 грн
SIHK065N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay sihk065n60e.pdf SIHK065N60E-T1-GE3
товар відсутній