SIHK055N60EF-T1GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHK055N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.05 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 393.38 грн |
| 50+ | 357.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHK055N60EF-T1GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHK055N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.05 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції SIHK055N60EF-T1GE3 за ціною від 287.31 грн до 698.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHK055N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay |
MOSFETs TOLL 600V 40A E SERIES |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHK055N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK055N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.05 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 236W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHK055N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3667 pF @ 100 V |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHK055N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay |
SIHK055N60EF-T1GE3 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHK055N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 110A; 236W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 236W Case: PowerPAK® 1012 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SIHK055N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3667 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHK055N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 110A; 236W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 236W Case: PowerPAK® 1012 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |