SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 9050 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.94 грн |
| 10+ | 65.13 грн |
| 100+ | 44.14 грн |
| 500+ | 36.48 грн |
| 1000+ | 28.81 грн |
| 3000+ | 25.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerBSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHK045N60EF-T1-GE3 за ціною від 415.81 грн до 775.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHK045N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FASTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHK045N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TOLL 600V 47A E SERIES |
на замовлення 3959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIHK045N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 9-Pin(8+Tab) PowerPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SIHK045N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 133A Power dissipation: 278W Case: PowerPAK® 1012 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SIHK045N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIHK045N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 133A Power dissipation: 278W Case: PowerPAK® 1012 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |