SIHH11N65E-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHH11N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.316 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 319.33 грн |
| 10+ | 245.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHH11N65E-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHH11N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.316 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 130W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.316ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SIHH11N65E-T1-GE3 за ціною від 141.27 грн до 319.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiHH11N65E-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHH11N65E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH11N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.316 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 130W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.316ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SIHH11N65E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin PowerPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SiHH11N65E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 27A Power dissipation: 130W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 363mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SiHH11N65E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 363mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1257 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SiHH11N65E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 363mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1257 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SiHH11N65E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 27A Power dissipation: 130W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 363mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |