SIHG73N60E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 741.22 грн |
| 2+ | 660.92 грн |
| 4+ | 624.7 грн |
| 100+ | 601.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG73N60E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG73N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 73 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHG73N60E-GE3 за ціною від 472.94 грн до 913.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 100 V |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 46A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 362nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 392 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG73N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 73 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |