![SIHG61N65EF-GE3 SIHG61N65EF-GE3](https://media.digikey.com/Renders/Vishay%20Semi%20Renders/TO-247-3-AC-EP.jpg)
SIHG61N65EF-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG61N65EF-GE3 Vishay Siliconix
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 41A, Pulsed drain current: 199A, Power dissipation: 520W, Case: TO247AC, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 47mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 371nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHG61N65EF-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SIHG61N65EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Gate charge: 371nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
SIHG61N65EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
SIHG61N65EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Gate charge: 371nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |