SIHG33N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 317.38 грн |
| 10+ | 256.62 грн |
| 100+ | 207.64 грн |
| 500+ | 190.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG33N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG33N60E-GE3 за ціною від 202.1 грн до 535.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG33N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHG33N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SIHG33N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SIHG33N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SIHG33N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHG33N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||
 |
SIHG33N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 33 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 278 Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: E Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: To Be Advised |
товар відсутній |
|||||||||
| SIHG33N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIHG33N60E-GE3 THT N channel transistors |
товар відсутній |