SIHFL9014TR-GE3

SIHFL9014TR-GE3 Vishay Siliconix


sihfl901.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.22 грн
10+ 44.37 грн
100+ 30.73 грн
500+ 24.09 грн
1000+ 20.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFL9014TR-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFL9014TR-GE3 за ціною від 17.78 грн до 57.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfl901.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-223
на замовлення 59761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.97 грн
10+ 49.31 грн
100+ 29.73 грн
500+ 24.81 грн
1000+ 21.16 грн
2500+ 18.41 грн
5000+ 17.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Виробник : Vishay sihfl901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Виробник : Vishay sihfl901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfl901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній